Phd On Development of Next Generation Embedded

Das GlobalFoundries Ph.D. Programm eröffnet Doktoranden die attraktive Möglichkeit, die Integration von eingebetteten nichtflüchtigen Speichern in leading-edge Logik-Halbleitern mitzugestalten. In Zusammenarbeit mit global verteilten Teams setzt die Arbeit auf einer bereits existierenden, eingebetteten FeFET-Technologie in den 22nm und 28nm CMOS-Technologie-Knoten auf. Die sich derzeit immer noch in der Entwicklungs
- und Forschungs-Phase befindlichen Technologie ist eine kostengünstige Alternative zu „consumer-grade“ eFLASH Lösungen in den 2X Technologieknoten. Darüber hinaus etabliert sich diese Technologie derzeit als vielversprechender Anwärter für Anwendungen im Bereich „Neuromorphic Computing“ und künstlicher Intelligenz (KI) in der „Edge-Anwendung“. Wir wollen in diesem Projekt die physikalischen Mechanismen in den existierenden „Metal Ferroelectric Insulator Semiconductor“ (MFIS) Strukturen besser verstehen und weiter optimieren. Mit Hilfe dieses Verständnisses gilt es dann „Back End of Line“ (BEoL) basierte CMOS kompatible „Metal Ferroelectric Metal“ (MFM) Kapazitäts-Strukturen herzustellen, welche hingehend ihrer FRAM oder FeMFET Einsetzbarkeit hin untersucht und optimiert werden sollen.

Diese Position ist auf 3 Jahre ausgelegt. Für diese Arbeit suchen wir einen wissenschaftlichen Mitarbeiter, der im Verbundprojekt sowohl eine koordinative Rolle übernehmen möchte als auch seine Forschungsarbeit an Fragestellungen der Massenfertigung ausrichtet. Dabei unterstützen Sie das Team mit Koordination der Fertigung der Wafer, inklusive der Experimentplanung und Durchführung. Die elektrische Charakterisierung verschiedener MFIS und MFM Systeme und Strukturierungsvarianten wird von Ihnen selbstständig organisiert und koordiniert. Hierbei wird auf vorhandene Infrastruktur und Expertise zurückgegriffen. Die Ergebnisse werden von Ihnen systematisch dokumentiert und im Rahmen regelmäßiger Berichterstattung zusammengefasst. GF unterstützt die Veröffentlichung wissenschaftlicher Ergebnisse in führenden Fachzeitschriften und den Schutz des geistigen Eigentums durch die Einreichung von Patenten.

**Erforderliche Qualifikationen**
- Sie haben Elektrotechnik, Physik oder ein vergleichbares Studium absolviert oder sind kurz vor dem Abschluss,
- Sie besitzen Kenntnisse auf dem Gebiet der Halbleiterbauelemente und deren Funktionsweise,
- Kenntnisse der Halbleitertechnologie, sowie Halbleiterfertigung sind von Vorteil,
- Idealerweise haben Sie solide Kenntnisse von magnetischen nichtflüchtigen Halbleiterspeichern oder anderen, auf widerstands-schaltenden Elementen basierenden Speicherkonzepten.
- Erfahrung im Bereich der physikalischen Gasphasenabscheidung oder im Bereich der Trockenätzverfahren ist ebenfalls von Vorteil
- Fundierte Fachkenntnisse im Bereich der Festkörperphysik und ferroelektrischer Dünnschichten ist ein Plus
- Ein sicherer Umgang mit Office Programmen zur Textverarbeitung und Präsentation werden vorausgesetzt,
- Sie verfügen über ein hohes Maß an Selbstständigkeit und zeitliche Flexibilität für die Kommunikation mit den globalen Teams,
- Sie sind kommunikativ und arbeiten gerne im Team,
- Gute Englischkenntnisse in Wort und Schrift runden Ihr Profil ab.

**Zeitraum**
- Ab sofort für 3 Jahre befristet.

**Bewerbung**

Bitte bewerben Sie sich mit Ihren vollständigen Unterlagen und geben Sie Ihren möglichen Beginn sowie Dauer der Tätigkeit an:

- Anschreiben
- Lebenslauf
- Aktuelle Immatrikulationsbescheinigung
- Aktuelle Notenübersicht
- Abschlusszeugnis
- Arbeitszeugnisse
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**About GF**

GlobalFoundries® Inc. (GF®) is one of the world's leading semiconductor manufacturers. GF redefines innovation and semiconductor manufacturing by developing and delivering feature-rich process technology solutions with leading performance in all growth markets. GF offers a unique mix of design, development and manufacturing services. With a talented and diverse team and manufacturing locations in the U.S., Europe and Asia, GF is a trusted technology provider to its global customers. GF employs approximately 13,000 people, including more than 3,000 in Dresden, Germany.

**Your Job**

The GlobalFoundries Ph.D. program provides Ph.D. students with a unique opportunity to help shape the integration of embedded non-volatile memories in leading-edge logic semiconductors. In collaboration with global teams, the PhD program will start with an existing STT-MRAM technology embedded into a 22nm FDSOI technology. To capture additional market segments beyond “consumer-grade” eFLASH replacement new MRAM flavors are under development to improve write and read speed as well as power-consumption and reliability. This requires the exploration of innovative MTJ stack solutions and structuring techniques.

The contract for this position is setup for 3 years with a possibility to extend by one additional year, if required. We