Siliziumtechnologe - Leistungselektronik Spezialist

Das Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie ISIT ist ein führendes Forschungszentrum in Deutschland, das sich auf die Entwicklung von Leistungshalbleiterbauelementen und siliziumbasierten Mikrosystemen spezialisiert hat.

Rund 150 Mitarbeitende arbeiten an diesem Standort mit Industrie- und Forschungspartnern auf nationaler und internationaler Ebene. Die Wissenschaftler entwickeln innovative Bauelemente der Leistungselektronik und siliziumbasierte Mikrosysteme. Der Schwerpunkt liegt auf der Erstellung neuer Leistungstransistoren auf Basis von Galliumnitrid und Silizium sowie deren Integration in leistungselektronische Systeme.

Für unsere Arbeitsgruppe suchen wir einen Mitarbeitenden, der eine entscheidende Rolle bei der Durchführung von Forschungsprojekten spielt, insbesondere bei der Simulation und Charakterisierung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente. Die Tätigkeit umfasst folgende Aufgabenbereiche:

• Kollaborative Entwicklung moderner Leistungstransistoren auf der Basis von Silizium und Galliumnitrid
• Konzeption innovativer Leistungstransistoren mittels TCAD-Bauelemente- und Prozesssimulationen sowie Vorhersage und Optimierung ihrer Eigenschaften
• Entwicklung von Simulationsmodellen und Vergleich mit Charakterisierungsergebnissen
• Bestimmung von Prozessparametern für die Fertigung in unseren Reinräumen
• Bauteilcharakterisierung und mögliche Mitwirkung bei der Entwicklung von Messtechnik zur Bewertung der gefertigten Prototypen
• Kommunikation Ihrer Ergebnisse intern und an Kund*innen
• Wissenschaftliche Profilierung durch Publikationen sowie Unterstützung bei der Akquisition von Forschungsprojekten und Industrieprojekten

Wir suchen nach einer Person mit einem Hochschulabschluss (Master / Diplom / Doktorat) in Physik, Elektrotechnik oder verwandten Disziplinen. Voraussetzung sind fundierte Kenntnisse der Halbleiterphysik sowie des Entwurfs und Betriebs von Leistungshalbleiterbauelementen auf Basis von Galliumnitrid und Silizium.

• Erfahrung in der Anwendung von TCAD- und Layout-Software
• Gute Kenntnisse der Schaltungstechniken für die Charakterisierung von Leistungshalbleiterbauelementen
• Erfahrung im Bauelementedesign und in der Prozess-/Bauelementesimulation von SJ- und Trench-MOSFETs ist wünschenswert
• Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten und im Team Verantwortung zu übernehmen
• Begeisterung für technisch-naturwissenschaftliche Themen mit starkem Anwendungsbezug
• Fließende Beherrschung der deutschen und englischen Sprache in Wort und Schrift

Die Stelle ist zunächst auf zwei Jahre befristet und kann auch in Teilzeit besetzt werden. Eine langfristige Zusammenarbeit ist jedoch erwünscht. Wir bieten eine monatliche Vergütung von etwa € 5500 bis € 6500. Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen richten sich nach dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD).

Wir bieten Ihnen ein innovatives Arbeitsumfeld mit vielseitigen Tätigkeiten im Bereich der öffentlich geförderten und industrienahen Forschung und Entwicklung. Sie haben den Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und eigene Ideen und können die Zukunft aktiv mitgestalten. Wir bieten flexible Arbeitszeiten und Unterstützung bei der Vereinbarkeit von Privatleben und Beruf (Mobiles Arbeiten, Gleitzeit- und Teilzeitmodelle etc.). Neben der fachlichen Weiterentwicklung bietet Fraunhofer ein breites Angebot an Fortbildungsmöglichkeiten, um Sie persönlich und Ihre Karriere zu unterstützen (Kollaborations- und Kommunikationsfähigkeiten, Projekt- und Teamleitung etc.).

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeiter und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.