Entwicklungsingenieur/in - Leistungselektronik im Verbund

Vor 2 Tagen


Itzehoe, Deutschland Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie ISIT Vollzeit
Überblick

Das Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie ISIT ist Teil der Fraunhofer-Gesellschaft und arbeitet mit ca. 150 Mitarbeitenden am Standort Itzehoe mit Industrie und Forschung auf nationaler und internationaler Ebene an führender Stelle. Die Wissenschaftler*innen entwickeln Bauelemente der Leistungselektronik und siliziumbasierte Mikrosysteme.

Gehalt

Die Bruttovergütung liegt bei etwa € 55.000-70.000 pro Jahr, die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle ist zunächst auf zwei Jahre befristet und kann auch in Teilzeit besetzt werden.

Aufgabenbereiche
  • Kollaborative Entwicklung von modernen Leistungstransistoren auf der Basis von Silizium und Galliumnitrid
  • Konzeption von innovativen Leistungstransistoren mittels TCAD-Bauelemente- und Prozesssimulationen sowie Vorhersage und Optimierung ihrer Eigenschaften
  • Entwicklung von Simulationsmodellen und Vergleich mit Charakterisierungsergebnissen
  • Bestimmung von Prozessparametern für die Fertigung in unseren Reinräumen
  • Bauteilcharakterisierung und ggf. Mitwirkung bei der Entwicklung von Messtechnik zur Bewertung der gefertigten Prototypen
  • Kommunikation Ihrer Ergebnisse intern und an Kund*innen
  • Wissenschaftliche Profilierung durch Publikationen sowie Unterstützung bei der Akquisition von Forschungsprojekten und Industrieprojekten
Voraussetzungen
  • Abgeschlossenes Hochschulstudium (Master / Diplom / Doktorat) in Physik, Elektrotechnik oder in verwandten Disziplinen
  • Fundierte Kenntnisse der Halbleiterphysik sowie des Entwurfs und Betriebs von Leistungshalbleiterbauelementen auf der Basis von Galliumnitrid und Silizium
  • Erfahrung in der Anwendung von TCAD- und Layout-Software
  • Gute Kenntnisse der Schaltungstechniken für die Charakterisierung von Leistungshalbleiterbauelementen
  • Erfahrung im Bauelementedesign und in der Prozess-/Bauelementesimulation von SJ- und Trench-MOSFETs ist von Vorteil
  • Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten und im Team Verantwortung zu übernehmen
  • Begeisterung für technisch-naturwissenschaftliche Themen mit starkem Anwendungsbezug
  • Fließende Beherrschung der deutschen und englischen Sprache in Wort und Schrift
Vorteile

Wir bieten Ihnen ein innovatives Arbeitsumfeld mit vielseitigen Tätigkeiten im Bereich der öffentlich geförderten und industrienahen Forschung und Entwicklung. Sie haben den Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und eigene Ideen und können die Zukunft aktiv mitgestalten.

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeiter*innen und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität.