Wissenschaftler (m/w/d) - Entwicklung von GaN-basierten Hochfrequenz-Bauelementen

vor 3 Wochen


Freiburg im Breisgau, Deutschland Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF Vollzeit

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Ort: Freiburg

Wissenschaftler (m/w/d) - Entwicklung von GaN-basierten Hochfrequenz-Bauelementen

Die Fraunhofer-Gesellschaft ( ) betreibt in Deutschland derzeit 76 Institute und Forschungseinrichtungen und ist die weltweit führende Organisation für anwendungsorientierte Forschung. Rund 30 800 Mitarbeitende erarbeiten das jährliche Forschungsvolumen von 3,0 Milliarden Euro.

Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III-V-Halbleiter und des synthetischen Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische, optoelektronische sowie quantentechnologische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in der Sicherheit, Gesundheit, Energie, Information und Kommunikation im Vordergrund.
Was Sie bei uns tun

Wir bieten Ihnen eine spannende Tätigkeit als Wissenschaftler*in in der Entwicklung, Charakterisierung und Modellierung von Hochfrequenz-Bauelementen. Sie forschen an leistungsfähigen Feldeffekt-Transistoren auf Basis von Galliumnitrid-Technologien für Kommunikations- und Radar-Anwendungen. Ziel der Forschungsarbeit ist die Verbesserung der Energieeffizienz sowie die Steigerung der Ausgangsleistung von hochfrequenten Transistoren, Leistungsverstärkern und Systemen. Ihr Tätigkeitsfeld reicht vom computergestützten Entwurf der Bauelemente, der messtechnischen Charakterisierung und Evaluation bis hin zur empirischen Modellierung der Transistor Großsignal-Eigenschaften. In enger Zusammenarbeit mit Forschenden der Abteilung »Technologie« treiben Sie die Entwicklung von GaN-basierten Bauelementen weiter voran und über den aktuellen Stand der Technik hinaus.
Im Team akquirieren und koordinieren Sie zukunftsweisende nationale und internationale Forschungs- und Entwicklungsprojekte.

Was Sie mitbringen

Sie verfügen über ein abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master) in Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik, Nachrichtentechnik oder Physik, idealerweise mit Promotion, bzw. eine vergleichbare Qualifikation.
Sie haben fundierte Kenntnisse in Hochfrequenztechnik und elektronischen Bauelementen.
Sie bringen erste Erfahrung in der physikalischen Modellierung (TCAD) oder empirischen Modellierung von Bauelementen und der HF-Messtechnik mit.
Idealerweise haben Sie bereits Know-how im Umgang mit Schaltungssimulations- und 3D-Feldsimulationsprogrammen, wie z. B. Keysight Advanced Design System (ADS), CST Microwave Studio und Cadence Virtuoso.
Des Weiteren haben sie erste Praxis mit Software zur Modellextraktion (z. B. PathWave Device Modeling (IC-CAP)) und der automatischen Datenauswertung, z. B. mit Python oder MATLAB.
Idealerweise kennen Sie sich in der Akquise und Leitung von Förderprojekten aus.
Ihre Fähigkeit, sich schnell in neue Probleme einzuarbeiten, sowie ein selbstständiger, wissenschaftlicher Arbeitsstil zeichnen Sie aus.
Gute Deutsch- und Englischkenntnisse für die nationale und internationale Zusammenarbeit sowie die Motivation, in einem Team zu arbeiten und eigene Ideen einzubringen, runden Ihr Profil ab.

Was Sie erwarten können

Ein modern ausgestattetes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Mitgestalten
Forschung auf hohem internationalem Level an weltweit vorderster Front der Hochfrequenzelektronik
Enge Kontakte zu in- und ausländischen Forschungseinrichtungen sowie zur Industrie und zu öffentlichen Auftraggebern
Persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsmaßnahmen
Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), ein vergünstigtes Jobticket für den ÖPNV sowie unterschiedliche Gesundheitsangebote (z. B. Pilates)
Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (u. a. mobiles Arbeiten, Mit-Kind-Büro, Kita-Platz-Kontingent sowie Beratungsleistungen im Bereich Homecare-Eldercare)
Ein Parkhaus mit kostenlosen Parkmöglichkeiten und E-Ladestationen

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen - unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.
Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle kann auch in Teilzeit besetzt werden. Die Stelle ist zunächst auf 3 Jahre befristet.
Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft.
Haben wir Ihr Interesse geweckt? Dann bewerben Sie sich über den "Jetzt bewerben"-Button mit Ihrem Lebenslauf, einem Anschreiben und Ihren Zeugnissen. Bitte beachten Sie, dass wir keine Bewerbungen per Mail berücksichtigen können. Wir freuen uns darauf, Sie kennenzulernen
Fragen zu dieser Ausschreibung beantwortet Ihnen gerne:

Kathrin Escher
recruiting@iaf.fraunhofer.de

Fraunhofer IAF
Personalabteilung
Tullastraße 72
79108 Freiburg

Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

Kennziffer: 71598



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